漢威光電累積30年的產學合作和實作經驗并致力于全球尖端的化合物半導體技術發展,提供全方位的射頻開關晶片和高頻功率元件。其中關鍵技術包含:






微波通訊技術

GaAs pHEMT元件制程

因應未來高資料速率、降低成本、提高系統容量和大規模裝置連接,追求極致晶片性能與尺寸,假晶高電子遷移率電晶體磊晶片制程因其高電子移動率、低漏電流以及較佳的雜訊特性等特別適用于射頻元件,可應用于無線長距區域網路、光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、有線電視數位電視及汽車防撞系統等應用。優勢 :  高崩潰電壓、平袒互導 - 偏壓關系、電子移動率、高電流驅動力、溫度特性佳低漏電流、雜訊特性佳、高二維空間電子氣濃度。
 

IPD元件制程

整合式被動元件(Integrated Passive Device;IPD)具有高精度、高重復性、尺寸小、高可靠度及低成本等優點。漢威已投入薄膜IPD制程技術開發多年,其制程涵蓋: 微影制程制程技術、薄膜沉積程制程技術、蝕刻制程技術、電鍍制程技術。

GaN HEMT元件制程

從4G 到5G的飛躍,氮化鎵(GaN)高電子遷移率電晶體(HEMT)具有高電子遷移率、寬能隙能量以及高介電強度,與矽基材(Si)相較,可在高電壓和高溫環境下工作,顯示在未來微波放大和電能轉換領域占有重要地位。GaN-on-SiC 技術可以提供更高效和更可靠的功能,以提供更清晰的通信。

 

GaN HEMT應用在微波領域的優勢

更高效率:降低功耗,節省電能,降低散熱成本,降低總運行成本。更大的寬頻:提高資訊攜帶量,用更少元件實現多頻率覆蓋,降低終端產品成本。適用于擴頻通信、電子對抗等領域。更高的功率:在 4GHz以上頻段可以輸出與砷化鎵高得多的頻率,特別適合雷達、衛星通信、中繼通信等領域。

功率元件技術

GaN Power FET元件制程

氮化鎵高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。氮化鎵功率市場中大部分應用仍然是電源相關應用,例如手機的快速充電,以及大瓦數電源供應器等。另外,光達(LiDAR )應用是高階解決方案也可充分利用氮化鎵功率元件中的高頻開關特性。
 

氮化鎵應用在電力電子領域的優勢

高轉換效率:氮化鎵的禁帶寬度是矽的 3 倍,擊穿電場是矽的 10 倍。同樣額定電壓的氮化鎵開關功率器件的導通電阻比矽器件低許多,可大大降低開關的導通損耗。高工作頻率:氮化鎵開關器件寄生電容小,可以讓整個系統周邊如電容、變壓器…… 等磁性元件的數量變少或尺寸變小,減小體積及原材料的消耗。高使用環境溫度:氮化鎵的禁帶寬度高達 3.4eV本征電子濃度極低,電子不容易被激發,因此氮化鎵器件可以工作在相對高溫環境下。

光電元件技術

漢威光電具備紅光二極體 (Red LED)、紅外線二極體 (IR LED) 及垂直共振腔面射型雷射 (VCSEL) 等元件制造能力,能在品質與性能滿足客戶的需求。
 

光電元件應用在光電領域的優勢

LED :相較傳統照明,具體積小、高效率、省電、長壽命等優點,可對應各種情境下的應用。 VCSEL:與 IR LED相比,傳播距離長、小角度光型,應用在感測器相關領域,發揮高精準度的特性,如無線耳機、手機、監視器等等。